Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014116773A1
Anmeldedatum17/11/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/05/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/739
ErfinderRiegler, Andreas, Dr., Wernberg, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014116773A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014116773A1
  
AbstractEin Transistorzellbereich (610) einer Halbleitervorrichtung (500) umfasst Transistorzellen (TC), die elektrisch mit einer ersten Lastelektrode (310) verbunden sind. Ein inaktiver Bereich (630) umfasst eine Gateverdrahtungsstruktur (330), die elektrisch mit Gateelektroden (150) der Transistorzellen (TC) verbunden ist. Ein Übergangsbereich (620), der sandwichartig zwischen dem Transistorzellbereich (610) und dem inaktiven Bereich (630) angeordnet ist, umfasst wenigstens eine Sensorzelle (SC), die elektrisch mit einer Sensorelektrode (340) verbunden ist. Die Sensorzelle (SC) leitet in einem Einschaltzustand der Transistorzellen (TC) einen unipolaren Strom ab.

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