Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015107271A1
Anmeldedatum11/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum21/04/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/532
ErfinderHong, Tsung-Hsuan, Hsinchu, TW; Jang-Jian, Shiu-Ko, Hsinchu, TW; Lin, Chun Che, Hsinchu, TW; Wu, Chih-Nan, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015107271A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015107271A1
  
AbstractEine integrierte Schaltungsstruktur umfasst eine dielektrische Schicht und eine Ätzstoppschicht. Die Ätzstoppschicht umfasst eine erste Teilschicht, die ein Metallnitrid umfasst, über der ersten dielektrischen Schicht und eine zweite Teilschicht, die über oder unter der ersten Teilschicht liegt. Die zweite Teilschicht umfasst eine Metallverbindung, die ein Element umfasst, das aus Kohlenstoff und Sauerstoff ausgewählt ist, und steht mit der ersten Teilschicht in Kontakt.

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