Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014112407A1
Anmeldedatum29/08/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum05/11/2015 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/522
ErfinderChen, Ming-Fa, Taichung City, TW; Chiou, Wen-Chih, Miaollii, Zhunan Township, TW; Lu, Wen-Sen, Hsinchu City, TW; Tsai, Wen-Ching, Hsinchu, TW; Yu, Chen-Hua, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014112407A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014112407A1
  
AbstractEs ist ein Gehäuse offenbart, das einen ersten Die, der eine erste Umverteilungsschicht (RDL) aufweist, die auf einer ersten Seite eines ersten Substrats angeordnet ist, und einen zweiten Die umfasst, der eine zweite RDL aufweist, die auf einer ersten Seite eines zweiten Substrats angeordnet ist, wobei die erste RDL mit der zweiten RDL gebondet ist. Ein dritter Die, der eine dritte RDL aufweist, ist auf einer ersten Seite eines dritten Substrats angeordnet, wobei der dritte Die über dem zweiten Die befestigt ist, wobei der zweite Die zwischen dem ersten Die und dem dritten Die angeordnet ist. Erste Durchkontaktierungen erstrecken sich durch das zweite Substrat und sind elektrisch von ihm isoliert, wobei die ersten Durchkontaktierungen jeweils ein leitendes Element in der ersten RDL oder der zweiten RDL kontaktieren. Zweite Durchkontaktierungen erstrecken sich durch das dritte Substrat und sind elektrisch von ihm isoliert, wobei die zweiten ...

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