Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015216091A1
Anmeldedatum24/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/336
ErfinderHiyoshi, Toru, Osaka, Osaka-shi, JP
Anmelder/InhaberSumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka, Osaka-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015216091A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015216091A1
  
AbstractEin Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung umfasst die Schritte: Herstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (10) mit einer ersten Hauptfläche (10a) und einer zweiten Hauptfläche (10b), die auf einer Seite gegenüberliegend zu der ersten Hauptfläche (10a) angeordnet ist (S101); Bilden einer Epitaxieschicht (11) auf der ersten Hauptfläche (10a), wobei die Epitaxieschicht (11) einen ersten Leitfähigkeitstyp und eine dritte Hauptfläche (11a) auf einer Seite gegenüberliegend zu einer Seite, auf der sich das Siliziumkarbid-Substrat (10) befindet, aufweist (S102); Bilden eines Grabens (TR) in der Epitaxieschicht (11), der Seitenwände (SW), die sich mit der dritten Hauptfläche (11a) schneiden, und einen Bodenabschnitt (BT), der mit den Seitenwänden (SW) verbunden ist, umfasst (S103); Verbreitern einer Öffnung (OP) des Grabens (TR) (S104); und Bilden eines eingebetteten Gebiets (30) in dem Graben (TR), das einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, der sich von ...

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