Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015216011A1
Anmeldedatum21/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/115
ErfinderSashida, Naoya, Kanagawa, Yokohama-shi, JP; Sugimachi, Tatsuya, Mie-ken, Kuwana-shi, JP
Anmelder/InhaberFujitsu Semiconductor Limited, Kanagawa, Yokohama-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015216011A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015216011A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung umfasst: ein Halbleiterträgermaterial; einen ferroelektrischen Kondensator oberhalb des Halbleiterträgermaterials; einen ersten Schutzring um den ferroelektrischen Kondensator oberhalb des Halbleiterträgermaterials. Der ferroelektrische Kondensator umfasst eine untere Elektrode, einen Kondensatorisolierfilm und eine Oberelektrode. Der erste Schutzring umfasst eine erste untere Pseudo-Elektrode, einen ersten Pseudokondensatorisolierfilm und eine erste obere Pseudo-Elektrode und umgibt die ferroelektrischen Kondensatoren in einer Planaransicht.

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