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Facebook| Veröffentlichungs-Nummer | DE102015216011A1 |
| Anmeldedatum | 21/08/2015 00:00:00 |
| Veröffentlichungs-Datum | 31/03/2016 00:00:00 |
| IPC-Hauptklasse | H01L 27/115 |
| Erfinder | Sashida, Naoya, Kanagawa, Yokohama-shi, JP; Sugimachi, Tatsuya, Mie-ken, Kuwana-shi, JP |
| Anmelder/Inhaber | Fujitsu Semiconductor Limited, Kanagawa, Yokohama-shi, JP |
| Offenlegungsschrift | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015216011A1 |
| Vollständige Beschreibung | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015216011A1 |
| Abstract | Eine Halbleitervorrichtung umfasst: ein Halbleiterträgermaterial; einen ferroelektrischen Kondensator oberhalb des Halbleiterträgermaterials; einen ersten Schutzring um den ferroelektrischen Kondensator oberhalb des Halbleiterträgermaterials. Der ferroelektrische Kondensator umfasst eine untere Elektrode, einen Kondensatorisolierfilm und eine Oberelektrode. Der erste Schutzring umfasst eine erste untere Pseudo-Elektrode, einen ersten Pseudokondensatorisolierfilm und eine erste obere Pseudo-Elektrode und umgibt die ferroelektrischen Kondensatoren in einer Planaransicht. |
