Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015215132A1
Anmeldedatum07/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum10/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/28
ErfinderKawata, Hiroshi, Hyogo, Kawanishi-shi, JP; Masumoto, Hiroyuki, Tokyo, JP; Matsumoto, Manabu, Tokyo, JP; Otsubo, Yoshitaka, Tokyo, JP
Anmelder/InhaberMitsubishi Electric Corporation, Tokyo, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015215132A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015215132A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung umfasst Folgendes: ein Substrat mit einem Isolationsharz und einem Metallmuster, das auf dem Isolationsharz vorgesehen ist; eine montierte Komponente, die auf dem Metallmuster montiert ist; und ein Epoxidharz, das das Metallmuster und die montierte Komponente einkapselt, wobei ein Schlitz in dem Metallmuster um die montierte Komponente vorgesehen ist, und das Isolationsharz, das vom Metallmuster freiliegt, und das Epoxidharz im Schlitz in innigen Kontakt miteinander gebracht sind.

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