Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015214797A1
Anmeldedatum04/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum10/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/336
ErfinderHiyoshi, Toru, Osaka-shi, JP
Anmelder/InhaberSumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka, Osaka-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015214797A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015214797A1
  
AbstractEin Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung (1) umfasst die folgenden Schritte. In einer Richtung senkrecht zu einer Hauptfläche (10a) gesehen, weist ein Siliziumkarbid-Substrat (10) einen Verbindungsbereich (17) auf, der einen Endabschnitt (C0) der einen Seite, eine Spitze (C1) des ersten Körpergebiet (13a1), die dem Endabschnitt am nächsten liegt, und eine Spitze (C2) des zweiten Körpergebiets (13b1), die dem Endabschnitt am nächsten liegt, umfasst, wobei der Verbindungsbereich (17) sowohl mit dem ersten Körpergebiet (13a1) als auch mit dem zweiten Körpergebiet (13b1) elektrisch verbunden ist, und wobei der Verbindungsbereich (17) den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. In einer Richtung parallel zur Hauptfläche (10a) gesehen, sind der erste Drift-Bereich (12a1) und der zweite Drift-Bereich (12b1) zwischen einem Gate-Isolierfilm (15) und dem Verbindungsbereich (17) vorgesehen. Der Verbindungsbereich (17), das erste Körpergebiet (13a1) und das zweite ...

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