Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015213254A1
Anmeldedatum15/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum25/02/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/45
ErfinderKitabayashi, Hiroyuki, Osaka, Osaka-shi, JP
Anmelder/InhaberSumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka, Osaka-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015213254A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015213254A1
  
AbstractEine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung umfasst eine Siliziumkarbid-Halbleiterschicht (100); und eine Elektrodenschicht (101) in Kontakt mit der Siliziumkarbid-Halbleiterschicht (100). Zumindest ein Abschnitt der Elektrodenschicht (101) enthält Kohlenstoff. In einem Fall, bei dem die Elektrodenschicht (101), in einer Dickenrichtung eines Querschnitts der Elektrodenschicht (101), in der Dickenrichtung in zwei gleiche Teile unterteilt ist, um ein erstes Gebiet (R1), das der Siliziumkarbid-Halbleiterschicht (100) zugewandt ist, und ein zweites Gebiet (R2), das der Siliziumkarbid-Halbleiterschicht (100) gegenüberliegt, zu erhalten, ist eine Fläche eines Kohlenstoffbereichs (2), der den Kohlenstoff in dem ersten Gebiet (R1) enthält, breiter als die Fläche des Kohlenstoffbereichs (2) in dem zweiten Gebiet (R2). In dem einen Querschnitt der Elektrodenschicht (101) in der Dickenrichtung, in einem Grenzflächengebiet (IR), das bis zu 300 nm von einer Grenzfläche zwischen der Siliziumkarbid-Halbleiterschicht ...

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