Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015116395A1
Anmeldedatum28/09/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/12
ErfinderKim, Hyun Ho, Seoul, KR; Kim, Woo Joon, Seoul, KR
Anmelder/InhaberLG Display Co., Ltd., Seoul, KR
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015116395A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015116395A1
  
AbstractIn verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Dünnfilmtransistor (TFT)-Substrat bereitgestellt. Das Dünnschichttransistor-Substrat kann aufweisen: ein Substrat (100), eine Sperrschicht (200), eine Source-Elektrode (211) und eine Drain-Elektrode (212) angeordnet auf der gleichen Schicht über dem Substrat (100), eine aktive Schicht (300) angeordnet die Sperrschicht (200), die Source-Elektrode (211) und die Drain-Elektrode (212) zu überlappen, eine Gate-Isolationsschicht (150) angeordnet über der aktiven Schicht (300), eine erste Gate-Elektrode (400) angeordnet über der Gate-Isolationsschicht (150), ein Zwischenschichtdielektrikum (450) angeordnet über der ersten Gate-Elektrode (400), eine erste Verbindungselektrode (510) angeordnet über dem Zwischenschichtdielektrikum (450) um mit der aktiven Schicht (300) und der Source-Elektrode (211) durch ein erstes Kontaktloch (CH1) verbunden zu sein, eine zweite Verbindungselektrode (520) angeordnet über dem Zwischenschichtdielektrikum (450) ...

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