Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015106580A1
Anmeldedatum29/04/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum03/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/263
ErfinderChen, Jeng-Horng, Hsinchu, TW; Shih, Chih-Tsung, Hsinchu, TW; Yen, Anthony, Hsinchu, TW; Yu, Shinn-Sheng, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015106580A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015106580A1
  
AbstractEs wird ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Strukturieren einer Resistschicht, die auf dem Substrat gebildet ist, um eine Resiststruktur zu ergeben, und das Behandeln der Resiststruktur mit einem Ionenstrahl. Der Ionenstrahl wird mit einem Gas erzeugt, wie zum Beispiel CH4, SiH4, Ar oder He, und wird auf die Resiststruktur unter einem Neigungswinkel von mindestens 10 Grad gerichtet. In Ausführungsformen wird der Ionenstrahl auf die Resiststruktur unter einem einheitlichen Verdrehungswinkel oder unter einem Verdrehungswinkel gerichtet, der eine unimodale oder bimodale Verteilung hat. Der Ionenstrahl reduziert die Linienkantenrauheit (LER), die Linienbreitenrauheit (LWR) und/oder die kritische Dimension der Resiststruktur. Das Verfahren umfasst ferner das Ätzen des Substrats mit der behandelten Resiststruktur als Ätzmaske.

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