Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015105970A1
Anmeldedatum20/04/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum17/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/11
ErfinderLiaw, Jhon Jhy, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015105970A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015105970A1
  
AbstractEine Statische Direktzugriffsspeicher(SRAM)-Zelle umfasst einen ersten und einen zweiten Pullup-Transistor, einen ersten und einen zweiten Pulldown-Transistor, die mit dem ersten und dem zweiten Pullup-Transistor überkreuz gelatchte Inverter ausbilden, sowie einen ersten und einen zweiten Pass-Gate-Transistor. Jeder von dem ersten und zweiten Pullup-Transistor, dem ersten und zweiten Pulldown-Transistor sowie dem ersten und zweiten Pass-Gate-Transistor weist eine Bodenplatte als einen ersten Source-/Drain-Bereich, einen Kanal über der Bodenplatte und eine Deckplatte als einen zweiten Source-/Drain-Bereich auf. In der SRAM-Zelle gibt es einen ersten isolierten aktiven Bereich, und er dient als die Bodenplatte des ersten Pulldown-Transistors und die Bodenplatte des ersten Pass-Gate-Transistors. In der SRAM-Zelle gibt es einen zweiten isolierten aktiven Bereich, und er dient als die Bodenplatte des zweiten Pulldown-Transistors und die Bodenplatte des zweiten Pass-Gate-Transistors.

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