Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014113989A1
Anmeldedatum26/09/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/732
ErfinderDahl, Claus, Dr., 01109, Dresden, DE; Tilke, Armin, Dr., 01159, Dresden, DE; Tschumakow, Dmitri Alex, Dr., 01109, Dresden, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014113989A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014113989A1
  
AbstractEin Bipolartransistor wird beschrieben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist der Bipolartransistor einen Halbleiterkörper auf, der ein Kollektorgebiet und ein, auf dem Kollektorgebiet angeordnetes Basisgebiet umfasst. Das Basisgebiet hat eine erste Kristallstruktur und ist zumindest teilweise mit Dotierstoffen eines ersten Dotierstofftyps dotiert. Das Kollektorgebiet ist seitlich durch eine Grabenisolation umschlossen und ist mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierstofftyps dotiert. Der Transistor weist des Weiteren eine leitende Basiskontaktschicht auf, die das Basisgebiet seitlich umschließt, welches mit Dotierstoffen des ersten Dotierstofftyps dotiert ist. Die Basiskontaktschicht weist einen Abschnitt mit einer ersten Kristallstruktur und einen Abschnitt mit einer zweiten Kristallstruktur auf, wobei der Abschnitt mit der zweiten Kristallstruktur den Abschnitt mit der ersten Kristallstruktur seitlich umschließt. Der Transistor weist des Weiteren ein auf dem Basisgebiet ...

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