Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014113975A1
Anmeldedatum26/09/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/03/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/12
ErfinderBehrens, Alexander, Dr., 93102, Pfatter, DE; Grönninger, Günther, 92358, Seubersdorf, DE; Kreuter, Philipp, Dr., 93053, Regensburg, DE; Müller, Martin, Dr., 93170, Bernhardswald, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014113975A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014113975A1
  
AbstractDie Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit wenigstens einer Schicht aus einem halbleitenden Material und mit einer kompressiv verspannten Funktionsschicht, wobei in einem vorgegebenen Abstand zur Funktionsschicht eine Getterschicht in der Schichtstruktur vorgesehen ist, wobei die Getterschicht als weitere kompressiv verspannte Schicht ausgebildet ist, um wandernde Leerstellen der Schichtstruktur zu binden.

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