Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014112283A1
Anmeldedatum27/08/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum25/02/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/336
ErfinderHuang, Kuo-Ching, Hsinchu City, TW; Ting, Yu-Wei, Taipei City, TW; Tsai, Chun-Yang, New Taipei City, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014112283A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014112283A1
  
AbstractEs ist ein integrierter Transistor für eine elektrische Vorrichtung, etwa eine DRAM-Speicherzelle, und ein Verfahren zur Herstellung desselben vorgesehen. Ein Graben wird in einem Substrat ausgebildet und ein Gate-Dielektrikum und eine Gate-Elektrode werden in dem Graben des Substrats ausgebildet. Source/Drain-Bereiche werden in dem Substrat auf gegenüberliegenden Seiten des Grabens ausgebildet. In einer Ausführungsform wird der Source- oder der Drain-Bereich mit einem Speicherknoten verbunden und der andere des Sourüce- und des Drain-Bereichs wird mit einer Bitleitung verbunden. In dieser Ausführungsform kann die Gate-Elektrode mit einer Wortleitung verbunden werden, um eine DRAM-Speicherzelle auszubilden. Ein dielektrischer Wachstumsmodifikator kann in Seitenwände des Grabens implantiert werden, um die Dicke des Gate-Dielektrikums einzustellen.

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