Eugen G. Leuze Verlag KG
×
 x 

Warenkorb leer.
Warenkorb - Warenkorb leer.
Veröffentlichungs-NummerDE102015122921A1
Anmeldedatum29/12/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum30/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderRothleitner, Hubert, Villach, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015122921A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015122921A1
  
AbstractEs wird eine MOS-Transistorstruktur (100) zum abgestimmten Betrieb im Schwachinversions- oder Sub-Schwellenwert-Bereich (z.B. Eingangspaar von Betriebsverstärker, Komparator und/oder Stromspiegel) offenbart. Die Transistorstruktur (100) kann einen Wannenbereich (101) eines beliebigen Fremdstofftyps in einem Substrat (102) (einschließlich SOI) umfassen. Der Wannenbereich (101) kann sogar durch das Substrat (102) selbst dargestellt werden. Mindestens ein Transistor (104) befindet sich in dem Wannenbereich (101), wodurch die aktive Kanalzone des Transistors (104) von seitlichen Isolierungsgrenzflächen zwischen GOX (Gate-Oxid) und FOX (Feldoxid einschließlich STI – flacher Grabenisolierung) unabhängig ist.

Zurück zum Suchergebnis

Der Leuze Verlag ist die Quelle für fundierte Fachinformationen.
Geschrieben von Fachleuten für Fachleute. Fachzeitschriften und Fachbücher
rund um Galvano- und Oberflächentechnik sowie Aufbau- und Verbindungstechnik in der Elektronik –
seit 119 Jahren professionelle Informationen und Fachwissen aus erster Hand.

UNTERNEHMEN

ZAHLARTEN

Paypal Alternative2Invoice
MaestroMastercard Alternate
American ExpressVisa

Zahlarten z.T. in Vorbereitung.

KONTAKT

Eugen G. Leuze Verlag KG
Karlstraße 4
88348 Bad Saulgau

Tel.: 07581 4801-0
Fax: 07581 4801-10

E-Mail: info@leuze-verlag.de oder
E-Mail: mail@leuze-verlag.de