Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015121868A1
Anmeldedatum15/12/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderHenson, Timothy D., Calif., Mount Shasta, US; Naik, Harsh, Calif., El Segundo, US; Ranjan, Niraj, Calif., El Segundo, US
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Americas Corp., Calif., El Segundo, US
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015121868A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015121868A1
  
AbstractGemäß einer Implementierung enthält ein vertikaler Feldeffekttransistor (FET) ein Substrat, das eine Driftregion aufweist, die sich über einem Drain befindet, eine Bodyregion, die sich über der Driftregion befindet und die darin gebildete Source-Diffusionen aufweist, einen Gategraben, der sich durch die Bodyregion erstreckt, sowie Kanalregionen, die an den Gategraben angrenzen. Die Kanalregionen sind entlang des Gategrabens durch jeweilige tiefe Body-Implantationen voneinander beabstandet. Von den tiefen Body-Implantationen befindet sich eine jede näherungsweise unterhalb zumindest einer der Source-Diffusionen und besitzt eine Tiefe, die größer ist, als die Tiefe des Gategrabens.

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