Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015121532A1
Anmeldedatum10/12/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/283
ErfinderAichinger, Thomas, Dr., Villach, AT; Bergner, Wolfgang, Dr., Klagenfurt, AT; Esteve, Romain, Dr., Villach, AT; Kueck, Daniel, Villach, AT; Peters, Dethard, Dr., 91315, Höchstadt, DE; Siemieniec, Ralf, Dr., Villach, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015121532A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015121532A1
  
AbstractEs wird ein Siliziumkarbidhalbleitersubstrat mit einer Vielzahl erster dotierter Gebiete, die seitlich voneinander beabstandet und unterhalb einer Hauptoberfläche sind, und einem zweiten dotierten Gebiet gebildet, das sich von der Hauptoberfläche zu einem dritten dotierten Gebiet erstreckt, das oberhalb der ersten dotierten Gebiete ist. Es werden vierte dotierte Gebiete gebildet, die sich von der Hauptoberfläche zu den ersten dotierten Gebieten erstrecken. Es wird ein Gategraben mit einem Boden gebildet, der über einem Abschnitt eines der ersten dotierten Gebiete angeordnet ist. An dem Substrat wird ein Hochtemperaturschritt durchgeführt, um Siliziumkarbidatome entlang von Seitenwänden des Grabens neu auszurichten und abgerundete Ecken im Gategraben herzustellen. Eine Oberflächenschicht, die sich während des Hochtemperaturschritts entlang der Seitenwände des Gategrabens bildet, wird vom Substrat entfernt.

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