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Facebook| Veröffentlichungs-Nummer | DE102015120913A1 |
| Anmeldedatum | 02/12/2015 00:00:00 |
| Veröffentlichungs-Datum | 09/06/2016 00:00:00 |
| IPC-Hauptklasse | H01L 23/485 |
| Erfinder | Iwasaki, Shinya, Aichi-ken, Toyota-shi, JP; Kameyama, Satoru, Aichi-ken, Toyota-shi, JP |
| Anmelder/Inhaber | TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, Aichi-ken, Toyota-shi, JP |
| Offenlegungsschrift | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015120913A1 |
| Vollständige Beschreibung | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015120913A1 |
| Abstract | Eine Halbleitervorrichtung (10) umfasst eine leitfähige Schicht (18), eine erste isolierende filmartige Schicht (20), ein Barrierenmetall (28), eine Kontaktelektrode (30) und eine Oberflächenelektrode (32). Die erste isolierende filmartige Schicht ist auf der leitfähigen Schicht angeordnet und umfasst ein Kontaktloch (26), das die leitfähige Schicht erreicht. Zumindest ein Oberflächenteil der ersten isolierenden filmartigen Schicht ist eine filmartige BPSG-Schicht (24). Das Barrierenmetall deckt eine innere Oberfläche des Kontaktloches ab. Die Kontaktelektrode ist in dem Kontaktloch und auf dem Barrierenmetall angeordnet. Die Oberflächenelektrode ist auf der filmartigen BPSG-Schicht und der Kontaktelektrode angeordnet. Das Barrierenmetall ist nicht zwischen der filmartigen BPSG-Schicht und der Oberflächenelektrode angeordnet, sodass die Oberflächenelektrode direkt in Kontakt mit der filmartigen BPSG-Schicht ist. Zumindest ein Teil der Oberflächenelektrode ist ein Bondplättchen ... |
