Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015120417A1
Anmeldedatum25/11/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum25/05/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/60
ErfinderSchmenn, Andre, 83679, Sachsenkam, DE; Sojka, Damian, 93057, Regensburg, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015120417A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015120417A1
  
AbstractEine vertikal integrierte Halbleitervorrichtung (300) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes umfassen: eine erste halbleitende Schicht; eine zweite halbleitende Schicht, die über der ersten halbleitenden Schicht angeordnet ist; eine dritte halbleitende Schicht, die über der zweiten halbleitenden Schicht angeordnet ist; und eine elektrische Überbrückung (333), die zwischen der ersten hableitenden Schicht und der zweiten halbleitenden Schicht gekoppelt ist.

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