Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015108688A1
Anmeldedatum02/06/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum30/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/762
ErfinderFang, Cong-Min, Hsin-Chu, TW; Kuo, Kang-Min, Hsin-Chu, TW; Wu, Shi-Min, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015108688A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015108688A1
  
AbstractEine Halbleiterstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat, einen ersten aktiven Bereich, einen zweiten aktiven Bereich, einen ersten Graben, mindestens einen erhabenen Abschnitt und ein erstes Dielektrikum. Der erste aktive Bereich liegt in dem Halbleitersubstrat. Der zweite aktive Bereich liegt in dem Halbleitersubstrat. Der erste Graben liegt in dem Halbleitersubstrat und trennt den ersten aktiven Bereich und den zweiten aktiven Bereich voneinander. Der erhabene Abschnitt ist gegenüber dem Halbleitersubstrat erhaben und ist in dem ersten Graben angeordnet. Das erste Dielektrikum liegt in dem ersten Graben und bedeckt den erhabenen Abschnitt.

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