Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015107292A1
Anmeldedatum11/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum23/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/522
ErfinderChang, Chia-Der, Hsinchu, TW; Chen, Wei-Chin, Hsin-Chu, TW; Chi, Guo-Chiang, Hsin-Chu, TW; Lu, Chih-Hung, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015107292A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015107292A1
  
AbstractEs sind eine Halbleiterbauelementstruktur und ein Verfahren zum Ausbilden der Halbleiterbauelementstruktur vorgesehen. Die Halbleiterbauelementstruktur enthält ein Substrat und eine Gateelektrode, die auf dem Substrat ausgebildet ist. Die Halbleiterbauelementstruktur enthält außerdem eine erste Kontaktstruktur mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt. Der erste Abschnitt der ersten Kontaktstruktur ist in der Gateelektrode ausgebildet, und der zweite Abschnitt ist auf dem ersten Abschnitt ausgebildet.

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