Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015107272A1
Anmeldedatum11/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum30/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/49
ErfinderJang-Jian, Shiu-Ko, Hsinchu, TW; Lin, Chun Che, Hsinchu, TW; Wang, Ting-Chun, Hsin-Chu, TW; Wu, Chih-Nan, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015107272A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015107272A1
  
AbstractDie vorliegende Offenbarung stellt gemäß einigen Ausführungsformen eine Halbleiterstruktur bereit. Die Halbleiterstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat und einen Gate-Stapel, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei der Gate-Stapel eine Schicht aus einem high-k-dielektrischen Material aufweist und verschiedenartige Metallschichten auf der Schicht aus einem high-k-dielektrischen Material angeordnet sind, wobei die Gate-Struktur eine konvexe Deckfläche aufweist.

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