Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015105996A1
Anmeldedatum20/04/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum02/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderChang, Che-Cheng, Hsinchu, TW; Chen, Chang-Yin, Hsinchu, TW; Cheng, Tung-Wen, Hsinchu, TW; Lin, Chih-Han, Hsinchu, TW; Lin, Jr-Jung, Hsinchu, TW; Ni, Chun-Lung, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015105996A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015105996A1
  
AbstractEine Fin-Feldeffekttransistor-Bauelementstruktur (FinFET-Bauelementstruktur) und ein Verfahren zum Ausbilden einer FinFET-Bauelementstruktur sind bereitgestellt. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst ein Substrat und eine erste Finnenstruktur und eine zweite Finnenstruktur, sich über dem Substrat erstrecken. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst außerdem einen auf der ersten Finnenstruktur ausgebildeten ersten Transistor und einen auf der zweiten Finnenstruktur ausgebildeten zweiten Transistor. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst außerdem eine dielektrische Zwischenschichtstruktur (ILD-Struktur), die in einem Ende-zu-Ende-Spalt zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor ausgebildet ist, und der Ende-zu-Ende-Spalt weist eine Breite in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm auf.

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