Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014119395A1
Anmeldedatum22/12/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum23/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderKampen, Christian, Dr., 80331, München, DE; Zundel, Markus, Dr., 85658, Egmating, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014119395A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014119395A1
  
AbstractEs ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement enthält eine Vielzahl von Feldstrukturen, die eine Vielzahl von Mesaregionen in einem Halbleiterkörper definieren und von denen jede eine Feldelektrode und ein Feldelektrodendielektrikum aufweist; eine Vielzahl von Gatestrukturen in jeder Halbleiter-Mesaregion, wobei jede Gatestruktur eine Gateelektrode und ein Gatedielektrikum aufweist und in einem Graben der Halbleiter-Mesaregion angeordnet ist; eine Vielzahl von Bodyregionen, eine Vielzahl von Sourceregionen und eine Driftregion. Jede Bodyregion grenzt an das Gatedielektrikum von zumindest einer von der Vielzahl von Gatestrukturen an und ist zwischen einer von der Vielzahl von Sourceregionen und der Driftregion angeordnet.

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