Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014118874A1
Anmeldedatum17/12/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum23/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/872
ErfinderKern, Ronny, Finkenstein, AT; Konrath, Jens Peter, Dr., Villach, AT; Krivec, Stefan, Dr., Villach, AT; Schmid, Ulrich, Dr., Wien, AT; Stöber, Laura, Wien, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014118874A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014118874A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung (1) weist ein Halbleitermaterial (100, 120, 180, 200) auf mit einer Bandlücke größer als 2 eV und kleiner als 10 eV, sowie eine Kontaktschicht (130) in Kontakt mit dem Halbleitermaterial. Die Kontaktschicht (130) weist ein Metallnitrid auf. Ein nicht-ohmscher Kontakt ist zwischen dem Halbleitermaterial (100, 120, 180, 200) und der Kontaktschicht (130) gebildet.

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