Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014117611A1
Anmeldedatum01/12/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum02/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/06
ErfinderRudolph, Andreas, Dr., 93047, Regensburg, DE; Sundgren, Petrus, Dr., 93059, Regensburg, DE; Tångring, Ivar, Dr., 93047, Regensburg, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014117611A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014117611A1
  
AbstractEs wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), – einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), – eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordnete aktive Schicht (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei – die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) von abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, – die mindestens eine zweit Quantentopfschichten (52A) eine elektronische Bandlücke EQW2 aufweist, die kleiner als die elektronische Bandlücke EQW1 der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, – die mindestens eine zweite Barriereschicht (52B) eine elektronische Bandlücke EB2 aufweist, die größer als die elektronische Bandlücke ...

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