Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014117591A1
Anmeldedatum01/12/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum02/06/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/301
ErfinderBarchmann, Bernd, 93059, Regensburg, DE; Eigenmann, Fabian, 93047, Regensburg, DE; Plößl, Andreas, Dr., 93051, Regensburg, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014117591A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014117591A1
  
AbstractEs wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (13) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Wafers (1) mit einer Vielzahl an Halbleiterkörpern (2), wobei zwischen den Halbleiterkörpern (2) Trennlinien (9) angeordnet sind, – Abscheiden einer Kontaktschicht (10) auf dem Wafer (1), wobei das Material der Kontaktschicht (10) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Platin, Rhodium, Palladium, Gold, und die Kontaktschicht (10) eine Dicke zwischen einschließlich 8 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweist, – Aufbringen des Wafers (1) auf eine Folie (11), – zumindest teilweises Durchtrennen des Wafers (1) in vertikaler Richtung entlang der Trennlinien (9) oder Einbringen von Bruchkeimen (12) in den Wafer (1) entlang der Trennlinien (9), und – Brechen des Wafers (1) entlang der Trennlinien (9) oder Expandieren der Folie (11), so dass eine räumliche Trennung der Halbleiterchips (13) erfolgt, wobei auch die ...

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