Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102014116999A1
Anmeldedatum20/11/2014 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum25/05/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/06
ErfinderHertkorn, Joachim, Dr., 93087, Alteglofsheim, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102014116999A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102014116999A1
  
AbstractDas Verfahren ist zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Erzeugen einer Nukleationsschicht (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), B) Aufbringen einer Maskenschicht (3) mit Maskeninseln auf die Nukleationsschicht (2), C) Aufwachsen einer Koaleszenzschicht (4), wobei die Koaleszenzschicht (4) ausgehend von nicht von den Maskeninseln bedeckten Bereichen der Nukleationsschicht (2) gewachsen wird, sodass im Querschnitt trapezförmige Stege (41) gebildet werden, D) Weiterwachsen der Koaleszenzschicht (4) mit einer zweiten Hauptwachstumsrichtung parallel zur Nukleationsschicht (2) zu einer zusammenhängenden und durchgehenden Schicht, E) Wachsen einer Mehrfach-Quantentopfstruktur (5) auf der Koaleszenzschicht (4), F) Aufbringen eines Spiegels (7), der metallische Kontaktbereiche (71) zu einer Stromeinprägung und Spiegelinseln (72) zur Totalreflexion von Strahlung aufweist, und G) Ablösen des Aufwachssubstrats (1) und Erzeugen einer ...

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