Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016200883A1
Anmeldedatum22/01/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum28/07/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/02
ErfinderNishiguchi, Kohei, Tokyo, JP
Anmelder/InhaberMitsubishi Electric Corporation, Tokyo, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016200883A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016200883A1
  
AbstractEin Substrat für eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Reaktionsschicht, die auf einer Rückseite des Substrats vorgesehen ist, wobei ein eine Transmission verhinderndes Metall, das eine geringere Durchlässigkeit gegenüber rotem Licht oder Infrarotlicht als jene des Substrats aufweist, und ein Material des Substrats in der Reaktionsschicht gemischt sind, und eine Metalldünnfilmschicht, die auf einer Rückseite der Reaktionsschicht ausgebildet ist und aus dem gleichen Material wie das eine Transmission verhindernde Metall ausgebildet ist.

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