Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016101909A1
Anmeldedatum03/02/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum11/08/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/06
ErfinderCuratola, Gilberto, Dr., Villach, AT; Siemieniec, Ralf, Dr., Villach, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016101909A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016101909A1
  
AbstractIn einer Ausführungsform weist ein Schaltkreis einen Eingangsdrainknoten, einen Eingangssourceknoten und einen Eingangsgateknoten und einen Hochvolt-Transistor, der einen zu einer Hybrid-Diode parallel gekoppelten Strompfad aufweist. Die Hybrid-Diode weist einen Transistor vom Verarmungstyp auf, der mit einer Diode in Reihe gekoppelt ist und betriebsfähig in einer Kaskodenanordnung mit dem Eingangssourceknoten gekoppelt ist.

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