Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016100856A1
Anmeldedatum20/01/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum21/07/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/08
ErfinderJou, Chwen-Pu, Hsinchu, TW; Liao, Wen-Shiang, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016100856A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016100856A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren sind hierin offenbart. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Die-Bauelement, eine Formschicht, welche das Die-Bauelement umgibt, mehrere erste vertikale leitfähige Strukturen, welche innerhalb der Formschicht gebildet sind, und mehrere zweite vertikale leitfähige Strukturen, welche innerhalb der Formschicht gebildet sind. Die ersten vertikalen leitfähigen Strukturen und die zweiten vertikalen leitfähigen Strukturen sind miteinander verflochten und eine isolierende Struktur ist zwischen den ersten vertikalen leitfähigen Strukturen und den zweiten vertikalen leitfähigen Strukturen gebildet.

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