Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015110843A1
Anmeldedatum06/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum29/09/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderChen, Shih-Hao, Hsinchu, TW; Cheng, Tung-Wen, Hsinchu, TW; Lin, Mu-Tsang, Hsinchu, TW; Lo, Wei-Yang, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015110843A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015110843A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Halbleiterfinne, einen Gatestapel und eine epitaktische Struktur. Die Halbleiterfinne ist in dem Substrat angeordnet. Ein Abschnitt der Halbleiterfinne steht von dem Substrat hervor. Der Gatestapel ist über dem vom Substrat hervorstehenden Abschnitt der Halbleiterfinne angeordnet. Die epitaktische Struktur ist auf dem Substrat und zu dem Gatestapel benachbart angeordnet. Die epitaktische Struktur weist eine obere Fläche auf, die vom Substrat weg weist, und die obere Fläche weist mindestens einen gekrümmten Abschnitt auf, der einen Krümmungsradius aufweist, der im Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 20 nm liegt.

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