Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015107439A1
Anmeldedatum12/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum06/10/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderChan, Wen-Hsin, Hsinchu, TW; Chen, Lung, Hsinchu, TW; Kuo, Kang-Min, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015107439A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015107439A1
  
AbstractEs sind Strukturen und Ausbildungsverfahren einer Halbleitervorrichtungsstruktur vorgesehen. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst einen Gatestapel über einem Halbleitersubstrat. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst auch eine Source/Drain-Struktur über dem Halbleitersubstrat und die Source/Drain-Struktur umfasst ein Dotierungsmittel. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst weiter einen Kanalbereich unter dem Gatestapel. Zusätzlich umfasst die Halbleitervorrichtungsstruktur eine Halbleiterschicht, die die Source/Drain-Struktur umgibt. Die Halbleiterschicht ist so konfiguriert, dass sie verhindert, dass das Dotierungsmittel in den Kanalbereich eindringt.

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