Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016100012A1
Anmeldedatum02/01/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum20/04/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/60
ErfinderChen, Ching-Hui, Hsinchu, TW; Ho, Ming-Che, Hsinchu, TW; Kalnitsky, Alexander, Hsinchu, TW; Ku, Chin-Yu, Hsinchu, TW; Kuo, Hung-Jui, Hsinchu, TW; Lii, Mirng-Ji, Hsinchu, TW; Liu, Chung-Shi, Hsinchu, TW; Wu, Yi-Wen, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016100012A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016100012A1
  
AbstractEin Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Herstellen einer ersten dielektrischen Schicht über einer leitenden Kontaktstelle; Herstellen einer zweiten dielektrischen Schicht über der ersten dielektrischen Schicht; und Ätzen der zweiten dielektrischen Schicht, um eine erste Öffnung herzustellen, wobei eine Oberseite der ersten dielektrischen Schicht zu der ersten Öffnung hin freigelegt wird. Eine Schablonenschicht wird hergestellt, um die erste Öffnung zu füllen. Dann wird eine zweite Öffnung in der Schablonenschicht und der ersten dielektrischen Schicht hergestellt, wobei eine Oberseite der leitenden Kontaktstelle zu der zweiten Öffnung hin freigelegt wird. In der zweiten Öffnung wird eine leitende Säule hergestellt.

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