Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015114903A1
Anmeldedatum06/09/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum23/02/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/522
ErfinderChen, Ming-Fa, Hsinchu, TW; Yeh, Sung-Feng, Hsinchu, TW; Yu, Chen-Hua, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015114903A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015114903A1
  
Abstract Es werden dreidimensionale integrierte Schaltungs-(3D-IC)Strukturen offenbart. Eine 3D-IC-Struktur umfasst einen ersten Chip, einen zweiten Chip und zumindest eine Trägerschichtdurchkontaktierung (Through Substrate Via, TSV). Der erste Chip ist elektrisch mit dem zweiten Chip mit einem ersten Bonding-Pad des ersten Chips und einem zweiten Bonding-Pad des zweiten Chips verbunden. Die TSV erstreckt sich von einer ersten Rückseite des ersten Chips zu einem Metallisierungselement des ersten Chips. Zumindest eine leitende Durchkontaktierung ist elektrisch zwischen der TSV und dem ersten Bonding-Pad verbunden und zumindest ein länglicher Schlitz oder geschlossener Raum befindet sich innerhalb der zumindest einen leitenden Durchkontaktierung.

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