Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015111347A1
Anmeldedatum14/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/739
ErfinderBaburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE; Laven, Johannes Georg, 82024, Taufkirchen, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111347A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111347A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung (500) enthält Transistorzellen (TC), die eine erste Lastelektrode (310) mit einer Driftstruktur (120) verbinden, die erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115) bilden, wenn eine an eine Gateelektrode (155) angelegte Gatespannung eine erste Schwellenspannung (Vthn) übersteigt. Erste Hilfszellen (AC1) in einer vertikalen Projektion der und elektrisch verbunden mit der ersten Lastelektrode (310) sind dafür ausgebildet, Ladungsträger in die Driftstruktur (120) zumindest in einem in Durchlassrichtung gepolten Modus der ersten pn-Übergänge (pn1) zu injizieren. Zweite Hilfszellen (AC2) sind dafür ausgebildet, Ladungsträger in die Driftstruktur (120) bei einem hohen Emitterwirkungsgrad zu injizieren, wenn in dem in Durchlassrichtung gepolten Modus der ersten pn-Übergänge (pn1) die Gatespannung unterhalb einer zweiten Schwellenspannung (Vthp) liegt, die niedriger als die erste Schwellenspannung (Vthn) ist, und bei einem niedrigen Emitterwirkungsgrad, wenn ...

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