Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016205559A1
Anmeldedatum05/04/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/60
ErfinderJewler, Scott, Calif., Saratoga, US
Anmelder/InhaberGLOBALFOUNDRIES Inc., Grand Cayman, KY
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016205559A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016205559A1
  
AbstractEs wird ein Fan-Out-Wafer-Level-Gehäuse auf Basis dünner Filme und ein Verfahren zum Herstellen von selbigem offenbart. Ausführungsformen umfassen ein Verfahren einschließlich einem Bilden von sich verjüngenden Durchgangslöchern in einer ersten Oberfläche eines Polymerfilms; ein Bilden einer leitfähigen Säule auf der ersten Oberfläche einer Halbleitervorrichtung; ein Bonden einer lötbaren Oberfläche der leitfähigen Kupfersäulen an eine Metallisierung an der zweiten Oberfläche des Polymerfilms; ein Bonden der Halbleitervorrichtung an die erste Oberfläche des Polymerfilms über den leitfähigen Säulen mit einem Unterfüllmaterial; und ein Abscheiden eines Einkapselungsmaterials über der Halbleitervorrichtung und dem Polymerfilm.

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