Eugen G. Leuze Verlag KG
×
 x 

Warenkorb leer.
Warenkorb - Warenkorb leer.
Veröffentlichungs-NummerDE102015111262A1
Anmeldedatum13/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum15/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderChang, Che-Cheng, Hsinchu, TW; Lin, Chih-Han, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111262A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111262A1
  
AbstractEine FinFET-Bauelementstruktur und ein Verfahren zum Ausbilden von dieser sind bereitgestellt. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst eine über einem Substrat ausgebildete Stoppschicht und eine über der Stoppschicht ausgebildete Finnenstruktur. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst eine Gatestruktur, die über der Finnenstruktur ausgebildet ist, und eine Source/Drain-Struktur (S/D-Struktur), die zu der Gatestruktur benachbart ist. Eine untere Fläche der S/D-Struktur ist an einer Position angeordnet, die höher als oder auf gleicher Höhe mit einer unteren Fläche der Stoppschicht liegt.

Zurück zum Suchergebnis

Der Leuze Verlag ist die Quelle für fundierte Fachinformationen.
Geschrieben von Fachleuten für Fachleute. Fachzeitschriften und Fachbücher
rund um Galvano- und Oberflächentechnik sowie Aufbau- und Verbindungstechnik in der Elektronik –
seit 119 Jahren professionelle Informationen und Fachwissen aus erster Hand.

UNTERNEHMEN

ZAHLARTEN

Paypal Alternative2Invoice
MaestroMastercard Alternate
American ExpressVisa

Zahlarten z.T. in Vorbereitung.

KONTAKT

Eugen G. Leuze Verlag KG
Karlstraße 4
88348 Bad Saulgau

Tel.: 07581 4801-0
Fax: 07581 4801-10

E-Mail: info@leuze-verlag.de oder
E-Mail: mail@leuze-verlag.de