Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015111371A1
Anmeldedatum14/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/102
ErfinderBaburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE; Laven, Johannes, 82024, Taufkirchen, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111371A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111371A1
  
AbstractEin Halbleiterbauelement enthält wenigstens ein IGBT-Zellengebiet (1141), wenigstens ein schaltbares Freilaufdiodengebiet (1143) und wenigstens ein nicht schaltbares Freilaufdiodengebiet (1142).

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