Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015111257A1
Anmeldedatum12/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum29/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/41
ErfinderJangjian, Shiu-Ko, Hsinchu, TW; Lin, Chun-Che, Hsinchu, TW; Lin, Jia-Ming, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111257A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111257A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, mindestens eine Schicht, einen metallischen Klebstoff und eine metallische Struktur. Die Schicht ist auf dem Substrat angeordnet. Die Schicht hat eine Öffnung, und die Öffnung hat eine Unterseite und mindestens eine Seitenwand. Der metallische Klebstoff ist auf der Unterseite der Öffnung angeordnet, während mindestens ein Abschnitt der Seitenwand der Öffnung frei bleibt. Die metallische Struktur ist in der Öffnung und auf dem metallischen Klebstoff angeordnet.

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