Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016209024A1
Anmeldedatum24/05/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum01/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/861
ErfinderAmirrezvani, Alireza, Ind., Noblesville, US; Atkinson, Craig J., Ind., Sheridan, US; Skaggs, Nicole C., Mich., Highland, US
Anmelder/InhaberGM Global Technology Operations LLC, Mich., Detroit, US
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016209024A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016209024A1
  
AbstractHalbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen sind angegeben. In einem Beispiel beinhaltet ein Halbleiterbauelement eine Halbleiterstruktur. Eine elektrisch halbisolierende Passivierungsschicht überlagert die Halbleiterstruktur. Eine elektrisch im Wesentlichen voll isolierende Passivierungsschicht überlagert die elektrisch halbisolierende Passivierungsschicht.

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