Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016208032A1
Anmeldedatum10/05/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum29/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/36
ErfinderTakizawa, Naoki, Kawasaki-shi, JP
Anmelder/InhaberFuji Electric Co., Ltd., Kawasaki-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016208032A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016208032A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung 1 umfasst eine Kühlplatte 2 aus Metall, ein oder mehrere laminierte Substrate 6, jeweils durch Laminieren einer Leiterplatte 5b, einer Isolierplatte 4 und einer Metallplatte 5a gebildet, und ein oder mehrere erste Halbleiterelemente 7, jeweils aus Halbleitern mit breitem Bandabstand gefertigt und über äußeren peripheren Randabschnitten der Leiterplatte 5b angeordnet. Die Metallplatte 5a und die Kühlplatte 2 sind durch Verwenden eines Bindematerials 3a verbunden. Im Ergebnis können der eine oder die mehreren ersten Halbleiterelemente 7, selbst wenn die Temperatur aufgrund des Betriebs des einen oder der mehreren ersten Halbleiterelemente 7 ansteigt und nicht ausreichend Wärmestrahlung stattfindet, stabil betrieben werden.

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