Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015110737A1
Anmeldedatum03/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum05/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/41
ErfinderLaforet, David, Villach, AT; Schwarz, Elisabeth, Dr., Villach, AT; Weissnicht, Beate, Villach, AT
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015110737A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015110737A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung umfasst eine Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) einen Halbleiterteil (100) umgibt und die einen Transistorabschnitt (TS) des Halbleiterteiles (100) umgibt. Eine Feldplattenstruktur (160) umfasst eine Feldelektrode (165) und erstreckt sich von der ersten Oberfläche (101) in den Transistorabschnitt (TS). Ein Mesaabschnitt (170) des Halbleiterteiles (100) trennt die Feldplattenstruktur (160) und die Gatestruktur (150). Eine Kontaktstruktur (315) umfasst einen ersten Teil (315a) direkt angrenzend an den Mesaabschnitt (170) und einen zweiten Teil (315b) direkt angrenzend an die Feldelektrode (165). Die ersten und zweiten Teile (315a, 315b) umfassen Streifen und sind direkt miteinander verbunden.

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