Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016112512A1
Anmeldedatum07/07/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/28
ErfinderBaumgartl, Johannes, Dr., Riegersdorf, AT; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016112512A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016112512A1
  
AbstractEine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden einer Sauerstoffdiffusions-Sperrschicht auf einer ersten Oberfläche eines Czochralski- oder magnetischen Czochralski-Siliziumsubstrats (S100). Eine Siliziumschicht wird auf der Sauerstoffdiffusions-Sperrschicht ausgebildet (S110). P-dotierte und n-dotierte Halbleitervorrichtungsbereiche werden in der Siliziumschicht ausgebildet (S120). Das Verfahren schließt auch ein Ausbilden erster und zweiter Lastanschlusskontakte ein (S130).

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