Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015108537A1
Anmeldedatum29/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum01/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/60
ErfinderWeyers, Joachim, Dr., 85635, Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Dresden GmbH, 01099, Dresden, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015108537A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015108537A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung (10) umfasst einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (101). Die Halbleitervorrichtung (10) umfasst weiterhin eine erste Isolationsschicht (200) auf der ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100). Zusätzlich umfasst die Halbleitervorrichtung (10) eine elektrostatische Entladungsschutzstruktur (310). Die elektrostatische Entladungsschutzstruktur (310) umfasst eine Diodenstruktur (315) auf der ersten Isolationsschicht (200). Die elektrostatische Entladungsschutzstruktur (310) umfasst einen ersten Anschluss (312) und einen zweiten Anschluss (314). Die Diodenstruktur (315) umfasst eine Polysiliziumschicht (300), die erste Bereiche (316) und wenigstens einen zweiten Bereich (318) eines entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps abwechselnd angeordnet längs einer ersten lateralen Richtung (x) zwischen dem ersten Anschluss (312) und dem zweiten Anschluss ...

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