Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016106969A1
Anmeldedatum15/04/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/423
ErfinderCha, Dong-Ho, Gyeonggi-do, Seongnam-si, KR; Kang, Ji-Su, Seoul, KR; Kim, Sung-Min, Incheon, KR; Lee, Yu-Ri, Gyeonggi-do, Suwon-si, KR; Park, Jae-Hyun, Gyeonggi-do, Osan-si, KR; Ryu, Byung-Chan, Gyeonggi-do, Seongnam-si, KR
Anmelder/InhaberSamsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-do, Suwon-si, KR
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016106969A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016106969A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung enthält ein erstes rippenartiges Muster und ein zweites rippenartiges Muster, die von einer oberen Oberfläche einer isolierenden Feldschicht nach oben abstehen und sich in eine erste Richtung erstrecken. Eine Gatestruktur schneidet das erste rippenartige Muster und das zweite rippenartige Muster. Eine erste epitaktische Schicht ist auf dem ersten rippenartigen Muster auf wenigstens einer Seite der Gatestruktur, und eine zweite epitaktische Schicht ist auf dem zweiten rippenartigen Muster auf wenigstens einer Seite der Gatestruktur ausgebildet. Ein Metallkontakt bedeckt die äußeren umlaufenden Oberflächen der ersten epitaktischen Schicht und der zweiten epitaktischen Schicht. Die erste epitaktische Schicht kontaktiert die zweite epitaktische Schicht.

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