Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016105389A1
Anmeldedatum23/03/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/092
ErfinderJung, Jong Ki, Gyeonggi-do, Hwaseong-si, KR; Kang, Myung Il, Gyeonggi-do, Yongin-si, KR; Kim, Yoon Hae, Gyeonggi-do, Suwon-si, KR; Lee, Byeong Chan, Gyeonggi-do, Yongin-si, KR; Lee, Jin Wook, Seoul, KR; Lee, Kwan Heum, Gyeonggi-do, Suwon-si, KR; Yang, Kwang Yong, Seoul, KR
Anmelder/InhaberSamsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-do, Suwon-si, KR
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016105389A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016105389A1
  
AbstractEine Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat (101) mit einem ersten Bereich (I) und einem zweiten Bereich (II), eine Mehrzahl von ersten Gatestrukturen (140) in dem ersten Bereich (I), wobei die ersten Gatestrukturen (140) voneinander mit einem ersten Abstand (SG1) beabstandet sind, eine Mehrzahl von zweiten Gatestrukturen (240) in dem zweiten Bereich (II), wobei die zweiten Gatestrukturen (240) voneinander mit einem zweiten Abstand (SG2) beabstandet sind, einen ersten Abstandshalter (150a) an Seitenwänden der ersten Gatestrukturen (140), eine Dielektrikumsschicht (154a) an den ersten Abstandshalter (150a), einen zweiten Abstandshalter (250a) an Seitenwänden der zweiten Gatestrukturen (240) und einem dritten Abstandshalter (254a) an dem zweiten Abstandshalter (250a).

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