Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015116915A1
Anmeldedatum06/10/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum05/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/336
ErfinderChang, Chai-Wei, Hsin-Chu, TW; Chang, Ya-Lan, Hsin-Chu, TW; Chao, Yi-Cheng, Hsin-Chu, TW; Li, Jung-Jui, Hsinchu, TW; Wu, Po-Chi, Hsin-Chu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015116915A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015116915A1
  
AbstractEin Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur ist bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer dielektrischen Schicht über einem Substrat. Die dielektrische Schicht weist einen Graben auf, der durch die dielektrische Schicht hindurchführt. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden eines Gatestapels in dem Graben. Das Verfahren umfasst ein Durchführen eines Plasmaprozesses mit einem wasserstoffhaltigen Plasma über dem Gatestapel. Das Verfahren umfasst ein Entfernen eines oberen Abschnitts des Gatestapels, um eine durch den Gatestapel und die dielektrische Schicht umgebende erste Aussparung auszubilden. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Abdeckschicht in der ersten Aussparung, um die erste Aussparung zu füllen.

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