Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016207528A1
Anmeldedatum02/05/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum17/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/13
ErfinderMiyawaki, Katsumi, Tokyo, JP; Nishihara, Tatsuto, Tokyo, JP
Anmelder/InhaberMitsubishi Electric Corporation, Tokyo, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016207528A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016207528A1
  
AbstractHochfrequenz-Hochleistungsvorrichtung, umfasst: eine Basisplatte (1) mit einem Montagebereich (1a) und einem Flanschbereich (1b); einen Rahmen (5), der mit einer Oberseite des Montagebereichs (1a) verbunden ist; und einen Halbleiterchip (6), der auf der Oberseite des Montagebereichs (1a) im Rahmen (5) montiert ist, wobei ein Einschnitt (2) oder eine Öffnung, in die eine Schraube (14) zum Befestigen der Basisplatte (1) eingefügt ist, im Flanschbereich (1b) vorgesehen ist, und eine Nut (13a, 13b) zwischen dem Montagebereich (1a) und dem Flanschbereich (1b) der Basisplatte (1) vorgesehen ist.

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