Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016109616A1
Anmeldedatum25/05/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum01/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/22
ErfinderCha, Nam-Goo, Gyeonggi-do, Hwaseong-si, KR; Kim, Yong II, Seoul, KR; Lim, Wan Tae, Gyeonggi-do, Suwon-si, KR; Noh, Hye Seok, Gyeonggi-do, Suwon-si, KR; Shin, Eun Joo, Seoul, KR; Sim, Sung Hyun, Gyeonggi-do, Uiwang-si, KR; Yoo, Hanul, Gyeonggi-do, Goyang-si, KR
Anmelder/InhaberSamsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-do, Suwon-si, KR
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016109616A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016109616A1
  
AbstractEine Licht emittierende Halbleitervorrichtung (50, 50a, 50b, 50c, 50d, 100, 500, 500a, 500b, 500c, 500d, 500e) weist Folgendes auf: eine Licht emittierende Struktur (30, 130, 515, 515p), welche eine Halbleiterschicht (32, 132, 509, 509p) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Halbleiterschicht (37, 137, 513, 513p) eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, welche jeweils eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche, einander gegenüberliegend, der Licht emittierenden Struktur (30, 130, 515, 515p) vorsehen, und eine aktive Schicht (35, 135, 511, 511p), welche zwischen der Halbleiterschicht (32, 132, 509, 509p) des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht (37, 137, 513, 513p) des zweiten Leitfähigkeitstyps zwischenliegend angeordnet ist, wobei ein Bereich der Halbleiterschicht (32, 132, 509, 509p) des ersten Leitfähigkeitstyps offen in Richtung der zweiten Oberfläche ist, und wobei die erste Oberfläche einen konkavo-konvexen Abschnitt hat, welcher darauf angeordnet ...

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